2 квітня 2026 року відбувся запуск першого у світі біржового інвестиційного фонду, що зосереджений виключно на мікросхемах пам’яті — Roundhill Memory ETF (тикер: DRAM) — на біржі Cboe BZX. Всього за два місяці ціна ETF зросла з початкових близько 28 доларів до понад 50 доларів, що становить сукупне зростання майже на 150%. Активи під управлінням (AUM) перевищили 10 мільярдів доларів, що зробило цей фонд одним із найшвидше зростаючих ETF в історії. Станом на 2 червня 2026 року DRAM торгувався на рівні 68 доларів, що на 7,6% більше за останні 24 години.
Це стрімке зростання не є поодиноким випадком. Воно відображає глобальну хвилю розширення інфраструктури штучного інтелекту, яка проявляється на ринках капіталу. Мікросхеми пам’яті, за якими стежить DRAM, є центральною ланкою у вузькому місці розширення обчислювальних потужностей ШІ.
Чому ETF, запущений лише два місяці тому, став найшвидше зростаючим продуктом у світі?
Десять років прогресу за два місяці — основні етапи зростання DRAM ETF
DRAM досяг такого приросту активів приблизно за два місяці, на який традиційним ETF знадобилися б роки. Його вибухове зростання було зумовлене не лише зростанням ціни — з 28 доларів на старті до понад 50 доларів, що саме по собі є дуже привабливим, — а й темпами надходження капіталу, які значно перевищили очікування.
За публічними даними, DRAM перевищив 1 мільярд доларів AUM вже за 10 днів після лістингу, а позначку у 5 мільярдів — за 25 днів. Це побило існуючі рекорди, зробивши його найшвидшим ETF в історії, що досяг 10 мільярдів доларів під управлінням. Наприкінці травня 2026 року активи фонду стабілізувалися на рівні близько 10,3 мільярда доларів, а щотижневі припливи залишалися позитивними.
Такий інтенсивний інтерес інвесторів свідчить про визнання ринком "чистої тематики пам’яті" як окремої інвестиційної стратегії. На відміну від традиційних ETF напівпровідників, таких як SOXX чи SMH, які охоплюють логічні чипи, виробників обладнання та інші сегменти, DRAM суворо обмежує сферу інвестування пам’яттю та накопичувачами, забезпечуючи більш сфокусований і чистий доступ до інфраструктури ШІ.
Чому саме мікросхеми пам’яті є найкритичнішим вузьким місцем у розширенні обчислювальних потужностей ШІ?
Щоб зрозуміти динаміку ціни DRAM, спершу потрібно відповісти на фундаментальне питання: яку роль відіграють мікросхеми пам’яті в екосистемі обчислень ШІ?
Обчислювальні потужності ШІ залежать не лише від постійної еволюції графічних процесорів та інших обчислювальних чипів, а й від ефективності передачі даних між процесорами та накопичувачами. High Bandwidth Memory (HBM) є ключовим компонентом прискорювачів ШІ, тоді як DRAM і NAND flash забезпечують роботу серверів і доступ до великих обсягів даних.
Наразі дефіцит HBM, DRAM і NAND flash, ймовірно, збережеться і після 2026 року. Основним драйвером є вибухове зростання попиту на високопродуктивну пам’ять з боку застосувань ШІ, тоді як пропозиція обмежена низкою технологічних бар’єрів, які стримують швидке нарощування потужностей. Зокрема, нові виробничі процеси HBM призводять до збільшення площі кристала, що зменшує кількість чипів з однієї пластини і обмежує гнучкість постачання. Запровадження екстремальної ультрафіолетової (EUV) літографії у виробництві передової DRAM ще більше обмежує темпи розширення потужностей.
Ахіллесова п’ята обчислень ШІ — дефіцит і напружений баланс попиту та пропозиції на ринку пам’яті
Попри обмежену пропозицію, попит продовжує зростати. Останній аналітичний звіт JPMorgan суттєво підвищив прогнози глобального ринку накопичувачів на 2026–2028 роки, оцінюючи його у 1,7 трильйона доларів у 2028 році. Micron Technology підтвердила, що вся її виробнича потужність HBM на 2026 рік вже розпродана, що посилює її цінову владу. SK Hynix контролює близько 60% ринку HBM, будучи ключовою опорою екосистеми ШІ компанії NVIDIA.
Чиста тематика пам’яті DRAM ETF: наскільки концентрований портфель і як розподіляються ризики?
Висока концентрація DRAM не є недоліком конструкції — це природний наслідок тематичної спрямованості. ETF наразі містить 20 складових цінних паперів, причому на трійку лідерів — SK Hynix, Samsung Electronics та Micron Technology — припадає майже 70% портфеля. Частка SK Hynix становить близько 27–28% ваги фонду.
Три гіганти та географічний розподіл — огляд концентрації портфеля DRAM ETF
Підприємства Південної Кореї становлять близько 52–55% ваги ETF (здебільшого SK Hynix і Samsung Electronics), компанії зі США — близько 32–35% (переважно Micron Technology та інші), решта розподілена між Тайванем (близько 7–8%), Японією (близько 3–4%) та іншими регіонами. Сукупно ці три регіони охоплюють майже 100%. Така географічна концентрація відображає глобальний розподіл виробництва мікросхем пам’яті: корейські компанії домінують у HBM і DRAM, американська Micron є великим гравцем у DRAM і NAND, а тайванські Nanya Technology та Winbond Electronics входять до портфеля як додаткові позиції.
Від HBM до DDR5: як змінюється структура попиту на пам’ять?
Останні два роки ринок був зосереджений переважно на HBM, оскільки це безпосередній супутник чипів для навчання ШІ. Однак у міру переходу застосувань ШІ від навчання до інференсу й епохи агентів ШІ структура попиту на пам’ять зазнає глибоких змін.
Від HBM до DDR5 — структурний зсув у попиті на пам’ять для ШІ
Останній звіт UBS підкреслює, що структура базового попиту в індустрії ШІ вже змінюється. Приблизно у 2023 році основний попит великих моделей формувався навчанням. У 2024–2025 роках акцент зміщується на інференс. Починаючи з 2026 року, індустрія прискорює перехід до епохи агентів ШІ — штучний інтелект не лише відповідає на запитання, а й автономно планує, виконує завдання та викликає інструменти, що веде до експоненційного зростання споживання ресурсів зберігання.
У цій новій парадигмі зростає значення DDR5. Агенти ШІ вимагають широкого залучення CPU для оркестрації завдань, управління станами та виклику інструментів, а DDR5 є основною пам’яттю для CPU. UBS вважає, що найбільше зростання попиту у найближчі роки може припасти саме на DDR5, а не на HBM. Прогнози JPMorgan підтверджують цю думку: очікується, що попит на серверну пам’ять у 2026–2028 роках зросте на 5–22%, причому понад 60% приросту припаде на сервери для ШІ.
Це означає, що категорії, охоплені DRAM ETF, переходять від "фокусу на одному продукті" до "розширення на кілька категорій" — HBM зберігає силу, DDR5 прискорюється, а корпоративні SSD швидко розширюються під впливом попиту на інференс ШІ. JPMorgan прогнозує, що ринок eSSD перевищить 500 ексабайт у 2026 році, що становитиме 43% загального попиту на NAND.
Як проривні результати трьох гігантів пам’яті підтримують вартість портфеля ETF?
Портфель DRAM продовжує привертати увагу ринку, оскільки його базові компанії вийшли за межі традиційних "циклічних коливань" і перейшли до каналу зростання, зумовленого структурним попитом.
Базові рушії — проривні результати трьох гігантів пам’яті
Згідно з останнім фінансовим звітом SK Hynix, виручка зросла на 198% у річному вимірі, чистий прибуток — на 165%, а керівництво підвищило прогноз. Квартальна виручка Micron зросла з близько 8 мільярдів доларів рік тому до понад 23 мільярдів. Samsung Electronics, використовуючи свої виробничі переваги в HBM і DDR5, підняла ціну своїх акцій більш ніж на 160% за рік.
Варто зазначити, що всі три компанії вже подолали позначку в 1 трильйон доларів ринкової капіталізації, ставши найбільш затребуваними акціями інфраструктури ШІ на глобальних ринках капіталу. За даними Bloomberg, чистий прибуток Micron може зрости з 8,5 мільярда у 2025 році до 66,8 мільярда у 2026-му і досягти близько 120 мільярдів у 2027-му. Якщо ці прогнози справдяться, зростання прибутковості портфеля DRAM залишатиметься високим.
З позиції оцінки, оптимізм ринку вже добре врахований. Micron і SanDisk нині торгуються з прогнозними коефіцієнтами P/E близько 10, але ці оцінки базуються на стійкому зростанні прибутку. Історично на піках циклів P/E Micron сягав 46, а SanDisk — 58, що свідчить: нинішнє розширення оцінки більше пов’язане з очікуваннями зростання прибутку, а не з ціновими бульбашками.
Як перевірити стійкість суперциклу? Які ризики мають враховувати інвестори?
Після стрімкого короткострокового зростання будь-якого активу виникає фундаментальне питання: чи можна підтримувати це зростання? Для DRAM три ключові чинники визначатимуть середньострокову динаміку.
Стійкість капітальних витрат. Чотири провідні хмарні та платформні компанії — Amazon, Meta, Alphabet і Microsoft — у 2026 році можуть витратити на інфраструктуру ШІ до 725 мільярдів доларів. Деякі з них покладаються на збільшення боргу для підтримки такого темпу. Якщо зростання капітальних витрат сповільниться, це безпосередньо позначиться на прибутках і цінах акцій виробників чипів.
Ризик розвороту цінового циклу пам’яті. Хоча контрактні ціни на DRAM і NAND нині зростають, індустрія пам’яті має виражений циклічний характер. TrendForce прогнозує, що у першому кварталі 2026 року традиційні контрактні ціни на DRAM можуть зрости на 55–60% квартал до кварталу, що підкреслює чутливість до балансу попиту і пропозиції. Якщо зростання попиту сповільниться або пропозиція різко збільшиться, високі ціни можуть впасти, що вдарить по прибутках компаній, які сильно залежать від цінового важеля.
Подвійний ефект концентрації портфеля. Близько 70% ваги DRAM сконцентровано на трьох компаніях, тож будь-які негативні новини щодо них суттєво вплинуть на чисту вартість активів ETF. Значна залежність фонду від корейського ринку також створює валютні й політичні ризики.
У звіті JPMorgan зазначено, що акції компаній пам’яті досі торгуються з дисконтом щодо прибутковості, головно через сумніви ринку у стійкості частки вартості пам’яті. Однак компанія вважає, що ШІ створив принципово нову структуру попиту, яка робить традиційні циклічні підходи до оцінки застарілими. Остаточно це твердження має пройти перевірку часом: між "структурним переломом" і "циклічним піком" ринок ще не досяг консенсусу.
Висновки
Рекордне ралі DRAM є, по суті, концентрованим відображенням хвилі інвестицій в інфраструктуру ШІ на ринках капіталу. Відмінна "чиста тематика пам’яті" ETF і сильні результати базових компаній забезпечили швидке масштабування за короткий період. Структурна логіка очевидна: мікросхеми пам’яті є ключовим вузьким місцем для обчислень ШІ — HBM залишається у дефіциті, попит на DDR5 зростає, а корпоративні SSD розширюються, разом формуючи багаторівневу систему попиту.
Однак залишаються ризики: концентрація, цінові цикли та стійкість оцінки. Ступінь закладеного оптимізму визначатиме майбутню динаміку ETF. Для учасників ринку розуміння структурної логіки DRAM і циклічних обмежень є ключовим для оцінки цього нового інвестиційного інструменту.
Поширені запитання
Який тип фонду DRAM ETF і яка його інвестиційна тематика?
DRAM, випущений Roundhill Investments, — це перший у світі активно керований ETF, зосереджений виключно на пам’яті. Він був лістингований на біржі Cboe BZX у США 2 квітня 2026 року. Фонд інвестує щонайменше 80% чистих активів у компанії, що виробляють мікросхеми пам’яті та накопичувачі, з акцентом на HBM, DRAM і NAND flash, що відрізняє його від ширших традиційних ETF напівпровідників.
Які основні складові портфеля DRAM ETF і наскільки він концентрований?
DRAM наразі містить близько 20 складових цінних паперів. Три найбільші позиції — SK Hynix (близько 28%), Samsung Electronics (близько 21%) і Micron Technology (разом з акціями та деривативами — близько 26%). Сукупно на них припадає приблизно 70–75% ваги фонду.
DRAM виріс майже на 150%. Які основні рушії цього зростання?
Основний драйвер — структурний попит на мікросхеми пам’яті, зумовлений розширенням обчислень ШІ. HBM як ключовий компонент прискорювачів ШІ нині у дефіциті з обмеженим розширенням потужностей. У міру переходу застосувань ШІ від навчання до інференсу й агентів ШІ, попит на DDR5 і корпоративні SSD також зростає, що підвищує очікування прибутків і оцінки акцій виробників пам’яті.
Які ризики мають враховувати інвестори при інвестуванні в DRAM ETF?
Ключові ризики: (1) Висока концентрація на трьох компаніях — волатильність будь-якої складової безпосередньо вплине на чисту вартість активів ETF; (2) Індустрія пам’яті є високоциклічною, і переломи контрактних цін можуть тиснути на прибутковість; (3) Якщо капітальні витрати на ШІ сповільняться, попит на пам’ять, що залежить від високих інвестицій, може знизитися; (4) Значна частка фонду у корейському ринку несе валютні та регіональні політичні ризики.
Який рівень витрат ETF і підхід до управління?
DRAM — це активно керований ETF із коефіцієнтом витрат 0,65%. Команда управління проводить ребалансування щоквартально, динамічно коригуючи ваги портфеля залежно від частки ринку та доходу кожної компанії у сфері мікросхем пам’яті та накопичувачів, із максимальною вагою однієї компанії до 25%.
